Особенности продукта Бренд: onsemi Пакет: TO-3P Упаковка: Туба Значение параметра свойства Каталог продукции Трубка/модуль IGBT Тип IGBT – Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vces) 1.2кВ Ток коллектора (Ic) 50А Мощность (Пд) 312 Вт Пороговое напряжение затвора (Vge(th)@Ic) – В...
Бренд: onsemi
Пакет: TO-3P
Упаковка: Туба
Значение параметра свойства
Каталог продукции Трубка/модуль IGBT
Тип IGBT -
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vces) 1.2кВ
Ток коллектора (Ic) 50А
Мощность (Пд) 312 Вт
Пороговое напряжение затвора (Vge(th)@Ic) -
Входная емкость (Cies@Vce) -
Потеря проводимости (Eon) 4.1 мДж
Потери при выключении (Eoff) 0.96 мДж
Время обратного восстановления (Trr) 350 нс
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Onsemi полупроводниковые (onsemi) внедряет инновации в области энергоэффективной электроники, позволяя клиентам сокращать потребление энергии по всему миру.
Onsemi полупроводниковые является лидером в поставках полупроводниковых решений, предлагая полную линейку энергоэффективных устройств управления питанием, аналоговых, сенсорных, логических, синхронизирующих, межсетевых, дискретных, однокристальных (SoC) и специализированных устройств.
Продукты компании помогают инженерам решать уникальные задачи проектирования в автомобильной промышленности, коммуникациях, вычислительной технике, бытовой электронике, промышленности и медицине.
Компания управляет гибкой, надежной цепочкой поставок и программой качества мирового уровня, строгой программой соответствия и этики, а также управляет производственными предприятиями, офисами продаж и центрами дизайна на ключевых рынках Северной Америки, Европы и Азиатско-Тихоокеанского региона.